MicroWave Technology- MicroWave Technology，Inc.是射频和微波分立半导体产品，砷化镓和氮化镓射频功率放大器，低噪声pHEMT器件，MMIC，无线放大器，混合模块和连接式微波放大器的领先制造商。 MicroWave Technology，Inc.（MwT）位于加利福尼亚州的硅谷，由拥有丰富砷化镓（GaAs）器件设计和制造经验的技术负责人于1982年创立。工厂占地35,000平方英尺，公司的主要资产包括GaAs半导体工厂和混合芯片和线材微波集成电路（HMIC）制造工厂。垂直制造和产品强度在微波元件市场中提供了MwT罕见的灵活性和机会。 MwT是离散砷化镓二极管和晶体管（FET，pHEMT和Gunn二极管）的美国领先商家制造商。早期专注于器件可靠性的研究成果产生了专有的金属化系统，使得MwT的器件不受氢污染的影响，现在这是高可靠性行业非常关注的一个问题。这些器件采用专有epi材料和四分之一微米凹槽栅极工艺技术，在17.5°时产生高线性（在1 W P-1 dB无线放大器中+ 48 dBm IP3）和低相位噪声（-125 dBc @ 100 KHz偏移） GHz DRO）设备，功率输出范围从10毫瓦到5瓦。这些器件以芯片或封装形式出售，广泛用于无线基础设施系统信息传输或接收中10 MHz至40 GHz信号的放大， 通过利用MwT砷化镓场效应管低互调失真特性，该公司已经在其针对多载波和/或数字调制（高线性度）的小型内部匹配模块化表面安装发射和接收放大器模块产品系列享有盛誉。 ）无线基础设施和军事通信系统。主要应用为蜂窝，PCS和WLL基站中的接收器前端和驱动器或微微蜂窝输出放大器以及军用高可靠性通信。值得注意的新产品具有极低的输入和输出回波损耗，便于在高度关键的高线性功率放大器级联中实现增益插入。MwT为内部和外部客户的使用提供高可靠性，经过验证的薄膜电路处理能力。采用薄膜混合微电路结构，MwT生产并销售各种标准模块化放大器产品至26 GHz。这些模块还为MwT设计和制造标准以及用于国防和电信应用的定制连接器放大器构建元件。 MwT拥有多年为客户创建专门设计的经验，并拥有基于MwT设备的大量定制设计库。MwT使用其部件的标准和定制版本来生产专用放大器和板级产品。我们久经考验的经验和跟踪记录可帮助您节省设计成本，时间和工程资源。例如低频LNA，无线LNA升压放大器，集成积木，高频振荡器，评估板和测试夹具。

分立半导体产品, RF / IF和RFID